参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSZ15DC02KD H
说明	功率MOSFET   3.3mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	5000
最小包	5000
现货	10286 [库存更新时间：2025-04-10]
通道数量	2Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	5.1A,3.2A
Rds On(Max)@Id,Vgs	41mΩ,97mΩ
栅极电压Vgs	12V
Qg-栅极电荷	2.8nC,-4.5nC
配置	Dual
Pd-功率耗散(Max)	2.5W
高度	1.10mm
长度	3.3mm
系列	OptiMOS3
FET类型	N+P-Channel
正向跨导 - 最小值	5.5S,3.4S
下降时间	1.4ns,4.7ns
上升时间	2ns,3.7ns
典型关闭延迟时间	12.2ns,11.3ns
典型接通延迟时间	4.9ns,7.4ns
工作温度	-55°C~175°C